HBM、HBF双存储架构并行，AI推理需求引爆先进封装行情，长电科技涨停

　　8月6日，近期先进封装概念持续反弹，长电科技（600584）(600584.SH)封涨停，甬矽电子(688362.SH)、劲拓股份（300400）(300400.SZ)涨超10%，通富微电（002156）(002156.SZ)、盛合晶微(688820.SH)、华天科技（002185）(002185.SZ)、太极实业（600667）涨超5%。

　　消息面上，SK海力士与闪迪近日宣布，推出高带宽闪存(HBF)的行业首套标准规范。近年来，AI行业正从“训练”阶段转向为用户提供实际服务的“推理”阶段，这大幅提高了对内存带宽和容量要求，HBF应运而生。

　　被称为“HBM之父”的韩国科学技术院金正浩认为，未来HBM和HBF将形成共存格局，类似于城市规划：“就像有百货商场，周围有复式公寓、普通住宅，各种形态的HBM、HBF组合在一起，形成复合体，向GPU供给数据。”