吴德馨院士不幸离世 微电子科学巨星陨落

中国科学院院士、杰出的微电子科学家吴德馨因病医治无效，于2026年3月23日在北京逝世，享年90岁。她曾任中国科学院微电子研究所研究员和中国科学院原微电子中心主任，并在第九届、第十届全国人民代表大会常务委员会担任委员。

吴德馨1936年出生于河北乐亭县，1961年毕业于清华大学无线电电子工程系。她在20世纪60年代初作为主要负责人之一，在国内首次研究成功硅平面型高速开关晶体管，所提出的提高开关速度的方案被广泛采用并推广。60年代末期，她还研究成功了介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路。

70年代末，吴德馨在国内率先研究成功MOS4K位动态随机存储器，并将正性胶光刻和干法刻蚀等技术应用于大规模集成电路的研制，提高了成品率。随后，她又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器，并开发了双层多晶硅和差值氧化工艺，独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。

80年代末期，吴德馨自主开发成功3微米CMOS LSI全套工艺技术，用于专用电路的制造。她还研制成功多种专用集成电路，并开发了VDMOS系列功率场效应器件和砷化镓异质结高电子迁移率晶体管。90年代，她继续研究成功0.8微米CMOS LSI工艺技术和0.1微米T型栅GaAs PHEMT器件。