手机有望跑大模型，全球首颗“二维-硅基混合架构”闪存芯片问世

　　新京报讯(记者张璐)3月25日，2026中关村论坛年会开幕式暨全体会议举行，2025年度“中国科学十大进展”在开幕式上发布，全功能二维半导体/硅基混合架构异质集成闪存芯片入选，其性能“碾压”目前的Flash闪存技术，比闪存快了100万倍。

　　手机用久了变卡、电脑打开大文件要等半天？这背后，其实是存储芯片的速度拖了后腿。尤其在AI时代，数据量爆炸式增长，传统存储芯片的速度和功耗，已经成为制约算力的“瓶颈”。

　　复旦大学周鹏-刘春森团队在这个问题上取得了重大突破。他们成功研发出了全球首颗“二维-硅基混合架构”闪存芯片，这项成果于2025年10月8日发表在国际顶级期刊《自然》上。

　　据复旦大学IC创新学院副院长周鹏介绍，日常用的U盘、手机存储，使用的是“闪存”技术。它的优点是断电后数据不会丢，缺点是速度慢。而计算机内部的高速缓存速度极快，但一断电数据就全没了。

　　周鹏团队发明了一种叫“破晓”的二维超快闪存器件，速度能达到400皮秒(1皮秒等于一万亿分之一秒)，是目前全球最快的半导体电荷存储技术，且不容易造成数据遗失。但光有快的“零件”还不够，关键是要把它和现有的芯片生产线结合起来。

　　芯片多由硅材料制作，硅片厚度往往在几百微米，一些薄层硅至少也有几十纳米；而二维半导体材料是原子级别，相当于厚度不到1纳米。想把它们俩结合在一起，就像在高楼林立的城市上空铺一张薄膜，很容易破裂。

　　为了解决这个问题，复旦团队花了大量精力，研发了一套完全自主知识产权的异质集成技术，成功将原子级薄的二维材料“平整地”贴在了硅基芯片上，实现了超过94%的芯片良率。他们把这个集成方案命名为“长缨(CY-01)架构”，寓意“长缨在手”，掌握了主动权。

　　“这是中国集成电路领域的‘源技术’，使我国在下一代存储核心技术领域掌握了主动权。”展望二维-硅基混合架构闪存芯片的未来，周鹏-刘春森团队期待该技术颠覆传统存储器体系，为人工智能、大数据等前沿领域提供更高速、更低能耗的数据支撑，让二维闪存成为AI时代的标准存储方案。谈及未来的应用场景，周鹏说，“我们现在用的AI大模型，是在云端处理，手机只是一个显示窗口。而未来，手机无需网络，本身就有望跑大模型。”

　　目前，团队在实验室里已经做出了1K容量的存储单元。1K相当于1024个字节，而一个普通U盘是64G，约640亿个字节。从1K到64G，中间还有巨大的工程化鸿沟。他说，团队下一步的关键是“中试”——在真实的生产环境中，把实验室的成果放大验证。他们正在绍兴等地建设中试线，希望通过与政府、企业、资本的合作，用3到5年时间，将项目集成到MB级(1MB=1024KB)水平，最终推向市场。

　　周鹏说，这项技术瞄准的是每年600亿美元的存储器市场，一旦成功，将是中国在下一代存储核心技术领域掌握主动权的重要一步。