韩国三星电子“最大规模”罢工倒计时！会冲击全球存储产业吗？

　　一场被韩媒称为“三星电子成立以来最大规模”的罢工危机，或将冲击全球存储产业。

　　当地时间5月14日，韩媒mk报道称，业界透露三星电子自当日起正式削减产量以应对工会威胁的全面罢工。

　　三星宣布“减产”

　　股价先跌后涨上演“巨震”

　　半导体行业人士称，与其他行业不同，芯片制造商必须在罢工开始前至少一周就开始调整产线，进行类似“缓停”的预备作业，以避免中途停产导致的巨量在制晶圆报废。三星电子正在限制投入产线前端的新增晶圆数量，并以高带宽内存（HBM）等最新工艺为中心重新调整产品组合，试图在损失最小化的前提下度过这场危机。

　　据业界推测，如果罢工全面展开，加上事前预备和事后产线稳定，一个月以上的生产中断将不可避免，直接和间接损失将达100万亿韩元（约合人民币4600亿元）。与一般制造业不同，半导体产线必须24小时不间断运行，一旦停摆，损失以万亿韩元计。三星工会此前在4月23日的单日罢工预演中，已经导致晶圆代工产量骤降58%、存储产量骤降18%。

　　5月13日，据韩联社报道，三星电子超过半数员工加入的“跨企业工会”和资方从12日上午10时到13日凌晨3时进行了长达17个小时的谈判，但未能达成协议。工会方面要求资方确保绩效奖金发放标准公开透明，并废除绩效奖金上限，但均未被接受，因此将于21日如期展开罢工。迄今有4.1万名工会成员表明参加罢工的意愿，但考虑到资方在谈判上的态度，参加人数可能进一步增加至5万人以上。

　　5月13日，劳资第二轮事后调解破裂的消息传出后，三星电子股价曾一度暴跌超过6%，市值蒸发约660亿美元，被韩国媒体形容为“巨震”。政府紧急表态将积极介入以避免罢工后，股价逐步收复失地，最终收涨1.79%。

　　在罢工谈判破裂当天，摩根大通发布研报称“任何回调都是买入机会”，认为强劲的存储价格上涨足以抵消大部分生产中断冲击。

　　5月14日，三星电子盘中一度涨超5%，至299500韩元/股，再创新高，最终收涨4.23%，报296000韩元/股，年内累涨146%，市值逼近2000万亿韩元。

　　事实上，三星电子正处于“史上最强”的业绩周期。2026年一季度，三星营收达133.9万亿韩元，同比增长69%；营业利润达57.2万亿韩元，同比暴增756%，远超2025年全年总和。其中，半导体业务贡献53.7万亿韩元利润，占比超93%，HBM收入同比增长超3倍。

　　存储涨势难止

　　AI需求推动全品类紧缺至2030年

　　三星此次罢工的深层诱因，正是其竞争对手SK海力士发放的巨额年终奖。

　　2025年9月，SK海力士与工会达成历史性劳资协议，废除了此前利润分享金（PS）不超过基本工资一倍的上限，将公司年度营业利润的10%划为奖金池，且取消了奖金封顶。2025年，SK海力士营业利润达到47.2万亿韩元，以此计算的人均绩效奖金约为1.4亿至1.48亿韩元（约合64万至67万元人民币）。

　　根据SK海力士2026年一季度业绩会透露，公司一季度实现收入52.58万亿韩元，同比增长198%，环比增长60%，首次单季突破50万亿韩元大关；营业利润37.61万亿韩元，同比增长405%，营业利润率高达72%；净利润40.35万亿韩元，同比增长398%。

　　DRAM和HBM已成为SK海力士核心的盈利引擎。尽管HBM在DRAM总出货量中占比仅14%左右，但其销售额在整体DRAM收入中的贡献已超40%。公司计划于2026年下半年向客户出样下一代HBM4E，2027年实现量产。

　　值得关注的是，当前，存储价格的涨势丝毫没有减弱的迹象。SK海力士在2026年一季度业绩会上披露，DRAM平均售价（ASP）环比上涨约65%，NANDASP环比上涨70%。市场研究机构TrendForce预测，二季度DRAM合约价将再涨58%-63%，NAND合约价再涨70%-75%。

　　SK海力士方面表示，AI需求正由大模型训练阶段快速过渡至Agentic AI阶段，KV Cache随并发请求量呈指数级增长，实时推理对长期记忆的刚性需求正在推高DRAM与NAND需求。公司已在2026年一季度期间持续研发基于1c工艺的LPDDR6产品，并将在下半年持续增大供给。

　　SK海力士在产能调配上的策略也可能进一步加剧供给紧张。由于当前DRAM盈利高于NAND，设备投资持续向DRAM倾斜，这在一定程度上影响了NAND产能扩充。分析人士表示，这将反向加剧NAND供需压力，进一步推高NAND价格。

　　5月14日，SK海力士收跌0.3%，报197万韩元/股。

　　此前，记者在调研走访中从多方获悉，三星、SK海力士、美光将先进产能全力投向HBM与服务器级产品，这导致消费级产能被压缩，最终引发全品类“搭车式”暴涨。当下，存储产业链企业基本在洽谈2027年的产能分配。SK海力士董事长崔泰源今年3月曾公开预警：全球内存芯片短缺可能持续到2030年。业内普遍判断，HBM紧缺局面将延续至2028年。（详见本报此前报道：存力大跃迁）

　　业内人士也普遍认为，至少在未来的24个月内，存储市场特别是高性能存储领域，将处于持续的“紧平衡”甚至“硬短缺”状态。