AI 芯片新创 Etched 完成流片：低电压提升实际算力表现，SRAM + HBM 缓存

　　 IT之家7月1日消息，AI芯片初创企业Etched当地时间昨日宣布其推理加速器芯片完成A0步进流片和首批机架构建。该企业获得超10亿美元订单和8亿美元B轮融资，首批机架产品预计2026年夏天出货。

　　 Etched表示，现有AI芯片在高负载下会产生大量废热，引发频率下降，最终导致实际的推理吞吐量仅有理论峰值的一半不到。

　　而 Etched的台积电N4P制程工艺芯片采用了全新架构：得益于电路、封装、算法等多层次的整体优化设计，其数学模块电压比大多数竞品低50%以上，可以超80%的“算力效率”运行1T规模的稀疏MoE模型。

　　而在缓存侧，Etched的芯片采用了片上SRAM+片外HBM的组合设计，结合高带宽互联技术，兼顾了两种方案的低延迟、大容量优势，实现了高吞吐量和交互性。