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高能破壁,一颗强“芯”定义功率新高度

沄森™2026-05-28
  能源流转无处不在,电力变换时刻发生,从新能源汽车、数据中心,到光伏电站、轨道交通、智能电网……高端装备平稳运转背后都藏着一个关键“功臣”——高性能功率器件。  但你知道吗?面对行业不断攀升的工况需求,传统硅基材料遇到了高压、高温、高损耗

  能源流转无处不在,电力变换时刻发生,从新能源汽车、数据中心,到光伏电站、轨道交通、智能电网……高端装备平稳运转背后都藏着一个关键“功臣”——高性能功率器件。

  但你知道吗?面对行业不断攀升的工况需求,传统硅基材料遇到了高压、高温、高损耗的性能“天花板”,直到高性能高可靠碳化硅功率器件登场才补齐短板。

  耐压能力是硅基器件的10倍,能轻松扛住上万伏高压;导热效率比传统器件高3倍,散热快但不“发烧”;能量损耗仅为传统器件的1/5……不同于传统硅基材料,碳化硅功率器件自带“王者基因”,彻底打破了传统功率器件的性能天花板。

  在新能源汽车领域,它能有效降低电驱系统损耗,延长车辆续航、加快充电速度,同时减少发热,让整车运行更安全;在电网储能场景中,它提升储能充放电效率,减少电能浪费,助力电网稳定调压、高效储电;在光伏逆变、工业变频领域,它助力设备缩小体积、降低散热成本,推动整个能源装备行业朝着高效节能、轻便可靠的方向大步迈进,成为产业低碳升级的关键推手。

  为突破高性能高可靠碳化硅功率器件的核心芯片设计、关键工艺、量产制造等技术难题,从2014年开始,中国电科55所宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室的科研团队就踏上了艰难的自主攻关之路。超净实验室里,团队成员日夜坚守,对着精密仪器反复调试参数,对着晶圆测试数据埋头分析;为攻破高温离子注入、栅氧化层工艺等核心难题,一遍遍优化方案,在失败中反复打磨技术细节。

  功夫不负有心人,团队成功建成国内首条6英寸碳化硅器件量产线,突破650V-6500V全电压系列SiC MOSFET核心技术,自研的国产碳化硅功率芯片及模块,规模化应用于新能源汽车、电网储能等重点领域,其中新能源汽车装车量突破650万只,兆瓦闪充、储能等场景出货超300万颗,团队以深耕坚守与硬核攻关,筑牢我国第三代半导体自主创新的产业根基。

  面对产业发展新机遇与技术攻坚新挑战,高性能高可靠碳化硅功率器件团队将持续深耕技术、锐意创新突破,以更高性能、更优品质、更普惠成本的碳化硅功率器件,不断定义功率半导体新高度,为我国新型电力系统建设、高端装备产业升级、实现高水平科技自立自强,筑牢硬核“芯”支撑。

  悦读.中国电科

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